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二极管作为一种基础电子元器件，所有工程师都知道其具有单向导电性。根据半导体材料分类，可分为硅二极管和锗二极管；根据据应用场合分类，可分为整流二极管、检波二极管、开关二极管和稳压二极管。不论怎么分，认为二极管有一个参数十分重要，会直接影响到晶体管是否会因过载损坏。

耗散功率耗散功率也称集电极允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的集电极耗散功率。是某一时刻电网元件或者全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。在线性条件下，导通的耗散功率计算比较简单，PD=I2R,或者PD=U2/R；而在开关状态下，计算相对比较复杂。

二极管的耗散功率与允许的节温有关，硅二极管允许的节温是150℃，而锗允许节温85℃。半导体工作温度是有限的，当实际的功率增大是，其节温也将变大，当节温达到150℃是，此时的功率就是的耗散功率。当然，耗散功率与封装大小也有一定的关系，通常封装大点的器件，其耗散功率也相对大点，常见的就是大功率器件拥有大体积，大面积的散热金属面。