苏州固锝电子股份有限公司

1、VBR：ReverseBreakdownVoltage(反向崩溃电压即击穿电压)

定义：当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,测德TVS两极间的电压VBR是TVS的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的,当瞬态电压超过VBR,瞬态电压抑制二极管便产生崩溃把瞬态电压抑制在某个水平,提供瞬态电流一个超低电阻通路,让瞬态电流透过瞬态电压抑制二极管被引开,避开被保护元件。

2、IR：ReverseLeakageCurrent(反向漏电电流)

当反向工作电压施加到TVS上时,TVS管有一个漏电流IR,一般都会有10-100μA的反向漏电电流。当TVS用于高阻抗电路时,这个漏电流是一个重要的参数。

3、VRWM：反向工作电压(ReverseStand-offVoltage：

可承受的反向电压)是器件反向工作时，在规定的IR下，器件两端的电压值。此时二极管为不导通之状态，通常VRWM=(0.8~0.9)VBR。使用时,应使VRWM不低于被保护器件或线路的正常工作电压。

4、VC(max)：箝位电压(TVSdiodeClampingVoltage：抑制电压)

在脉冲峰值电流Ipp作用下,器件两端的电压值称为箝位电压。使用时,应使VC(max)不高于被保护器件的允许安全电压。箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数。即：箝位系数=VC(max)/VBR一般箝位系数为1.3左右。

5、Cj：TVSdiodeJunctionCapacitance(瞬态二极管的电容值)

TVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定,电容在零偏情况下,随偏置电压的增加,该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。瞬态电压抑制二极管的电容值越大对电路的干扰越大,形成噪音越大或衰减讯号强度越大,对于数据/讯号频率越高的回路,电容值不大于10pF。

6、IPP：的峰值脉冲电流

在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的脉冲峰值电流。

7、PPR：反向脉冲峰值功率

TVS的PPR取决于脉冲峰值电流IPP和箝位电压VC,除此以外,还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。