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肖特基二极管是一种多属半导体器件，由贵金属(金、银、铝、铂等)制成。)A作为正电极，N型半导体B作为负电极，并利用在两者的接触表面上形成的势垒的整流特性。肖特基二极管具有较低的反向击穿电压:SBD的反向击穿电压相对较低，因为其反向势垒较薄，表面容易击穿。因为SBD比PN结二极管更容易热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
肖特基二极管的正向电压降低:由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，其正向导通mosfet和正向压降均低于PN结二极管(约低0.2V)。肖特基二极管具有较高的工作频率:由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受RC时间常数的限制，因此是高频快速开关的理想器件。其工作频率可达100千兆赫。
肖特基二极管具有快速的反向恢复时间:因为SBD是一个多数载流子传导器件，所以没有少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充放电时间，与PN结二极管的反向恢复时间完全不同。由于SBD的反向恢复电荷非常小，开关速度非常快，开关损耗非常小，特别适合高频应用。
肖特基二极管主要用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管和保护二极管，也用作微波通信电路中的整流二极管和小信号检测二极管。常用于彩电的二次电源整流和高频电源整流。
肖特基二极管的基本原理是：在金属与N型硅片的接触面上，电流由金属与半导体接触形成的势垒控制。肖特基结和PN结的整流原理根本不同。其耐压只有40V左右，大多不高于60V，限制了其应用范围。其特点是:切换速度非常快:反向恢复时间特别短。因此，可以制造开关二极管和低压大电流整流二极管。