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肖特基二极管是一种多数载流子传导器件，没有少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充放电时间，与PN结二极管的反向恢复时间完全不同。由于肖特基二极管的反向恢复电荷非常小，开关速度非常快，开关损耗非常小，特别适合高频应用。然而，肖特基二极管的反向击穿电压相对较低，因为其反向势垒较薄，表面容易击穿。因为肖特基二极管比PN结二极管更容易热击穿，所以反向漏电流比PN结二极管大。

肖特基二极管具有开关频率高、正向电压降低的优点，但其反向击穿电压相对较低，大多不高于60V，多只有100V左右，限制了其应用范围。例如，开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级100伏以上的高频整流二极管、RCD缓冲电路600伏至1.2千伏的高速二极管、PFC升压用600伏二极管等。仅使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。

UFRD的反向恢复时间Trr也超过20ns，这根本不能满足SMPS在空间站等领域1兆赫至3兆赫的需要。即使硬开关是100千赫SMPS，由于UFRD的大的传导损耗和开关损耗均以及高的外壳温度，需要大的散热器，这增加了SMPS的体积和重量，并且不符合小型化和薄型化的发展趋势。因此，研制100伏以上的高压肖特基二极管一直是一个研究课题和热点。近年来，肖特基二极管取得了突破性进展，150伏和200伏高压肖特基二极管已上市，SBD  1kV以上新材料已成功开发，为其应用注入了新的生机和活力。

肖特基二极管的缺点是反向偏置电压低，反向漏电流大。例如，由硅和金属制成的肖特基二极管，其反向偏置电压的额定耐受电压仅高达50V，而反向漏电流的值是正温度特性，易于随着温度的升高而迅速增加。在实际设计中，应注意热失控的隐患。为了避免上述问题，实际使用中肖特基二极管的反向偏置电压远远小于其额定值。然而，肖特基二极管的技术也得到了改进，其反向偏置电压可高达200伏。