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碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，因此碳化硅肖特基二极管具有更高的能效、更高的功率密度、更小的尺寸和更高的可靠性等优点。可用于电力电子突破硅的限制，成为新能源和电力电子的shou选器件。
　　SiC技术特点
　　SiC是由硅和碳化物组成的化合物半导体。与硅相比，它具有许多优势。SiC的带隙是硅的2.8倍（宽带隙），达到3.09 eV。其绝缘击穿场强是硅的5.3倍，zui高可达3.2MV/cm，导热系数是硅的3.3倍，约为49w/cm.k。与硅半导体材料一样，它可以制成结型器件、场效应器件和特殊的肖特基二极管。这里是碳化硅特性：
　　1、碳化硅单载流子器件漂移区薄，导通电阻低，比硅器件小100-300倍左右。由于导通电阻小，碳化硅功率器件的正向损耗小。
　　2、碳化硅功率器件由于击穿电场高，击穿电压高。例如，商用硅肖特基二极管的电压低于300V，而di一个商用SiC肖特基二极管的击穿电压已经达到600V。
　　3、SiC具有更高的热导率。
　　4、SiC 器件可以在更高的温度下工作，而 Si 器件的zui高工作温度仅为 150?C。
　　5、SiC具有高抗辐射性。
　　6、SiC功率器件的正反向特性随温度和时间变化小，可靠性好。
　　7、SiC器件具有良好的反向恢复特性，反向恢复电流和开关损耗低。
　　8、SiC器件可以减少功率器件的体积和电路损耗。