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整流二极管具有明显的单向导电性，它可以由半导体猪或硅等材料制成。整流二极管的作用是利用PN结的单向导电性将交流电转换成脉动直流电，整流二极管的主要作用包括以下几点内容。
　　1、正向特性
　　整流二极管zui突出的特点是它的正向特性。当对整流二极管施加正向电压时，正向电压的初始部分很小，不能有效克服PN结电场的阻断作用。
　　当正向电流几乎为零时，正向电压不能导通二极管，称为死区电压。

　　当正向电压大于死区电压时，有效克服电场，整流二极管导通，电流随电压升高迅速上升。在正常电流范围内，整流二极管的端电压在导通时几乎保持不变。

　　2、反向特性
　　当加在整流二极管上的反向电压不超过一定范围时，由少数载流子漂移形成反向电流。由于反向电流很小，整流二极管处于截止状态。
　　整流二极管的反向饱和电流受温度影响。一般来说，硅整流二极管的反向电流远小于锗整流二极管。小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA量级，小功率锗整流二极管的反向饱和电流在μA量级。
　　当整流二极管的温度升高时，半导体被激发，少数载流子的数量增加。
　　3、反向击穿
　　整流二极管的反向击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种。
　　在高掺杂浓度下，由于势垒区宽度小，反向电压会破坏共价键结构，使电子脱离共价键，产生电子空穴。这称为齐纳击穿。

　　另一种击穿类型是雪崩击穿。随着整流二极管反向电压的增加，外加电场会加速电子漂移速度，因此价电子会相互碰撞出共价键，产生新的电子一空穴对。