苏州固锝电子股份有限公司

中低压MOSFET是指工作电压范围在10V~300V的功率场效应晶体管。这类器件通过优化结构设计（如沟槽栅VDMOS或屏蔽栅MOSFET），在较低电压下实现高效的开关性能和低导通损耗，广泛应用于消费电子、工业控制、新能源等领域。
　　he心特点：
　　低导通电阻（Rds(on）
　　通过结构优化（如屏蔽栅技术），显著降低导通电阻（如华润SGT系列Rds(on)低至1.9mΩ），减少功耗并提高效率。
　　典型值：1.9mΩ（CSD18511Q5A）~25mΩ（WSF4012B）。
　　高速开关能力
　　开关延迟时间（td(on/off）短至2ns~50ns（如WSF4012B的开通延迟8.9ns），减少开关损耗。
　　优势：适用于高频开关电源（>100kHz）和电机调速场景。
　　小栅极电荷（Qg）
　　Qg值低至6nC~59nC（如CSD18513Q5A的23nC），降低驱动功耗，提升系统效率。
　　良好的热稳定性
　　工作结温范围-55°C~150°C，支持宽温环境（如CSD17581Q3A）。
　　热阻（RθJA）低至45°C/W（如CSD17581Q3A），提升散热能力。
　　高集成度
　　支持小型化封装（如SON 5mm×6mm或DFN 5mm×6mm），适合便携式设备和高密度PCB设计。