硅平面功率齐纳二极管
型号:1N5221
硅平面功率齐纳二极管
标准齐纳电压公差为±5%(带“B”后缀),±10%(带“A”后缀)
这些二极管也可用于Mini-MELF外壳,型号为ZMM5225…ZMM5267
硅平面功率齐纳二极管典型应用:
外壳:DO-35玻璃外壳
重量:约0.13g
zui大额定值和热特性:
齐纳电流(见表“特性”):/
TL=25℃时的功耗:300℃/W
与环境空气的热电阻结:500mW
zui高结温度:175℃
储存温度范围:-65 ~ +175℃
额定值和特性曲线:
(除非另有说明,TA=25℃)
硅平面功率齐纳二极管电特性:
IZT VZ额定齐纳电压(伏特):2.4
测试电流IZT (mA): 20
zui大齐纳阻抗:
在IZT ZZT(Ω):30
at IZK=0.25mA ZZK (Ω):1200
典型温度系数αvz(%/K):-0.085
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